1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 127А; Idm: 637А; 44Вт; DFN8

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 127А; Idm: 637А; 44Вт; DFN8
Немає в наявності
Код товару: NVMFD5C446NT1G
281,30 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMFD5C446NT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 38нКл
Корпус: DFN8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 2,9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 44Вт
Струм стока: 127А
Струм стоку в імпульсі: 637А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 6,3В; X5R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 6,3В; X5R; ±10%; SMD; 1206

3,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 2,5В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 2,5В

44,98 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
2,5В
Вихідний струм:
0,15А
Недоступний
Резистор: thick film; 215Ом; SMD; 0603; 330мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 215Ом; SMD; 0603; 330мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,63 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1,6x0,85x0,45мм
Недоступний
Резистор: thick film; 680Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; AS; 200В
Резистор: thick film; 680Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; AS; 200В

1,05 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Реле: електромагнітнe; 24ВDC; DPDT; Iконтактів max: 12А; підставка
Реле: електромагнітнe; 24ВDC; DPDT; Iконтактів max: 12А; підставка

738,72 грн

Виводи:
конектори
Висота:
28мм
Зовнішні розміри:
22,5x29x28мм
Кількість пін:
8
Недоступний
Резистор: thin film; 178Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 178Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%

30,60 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Стрічка FFC; луджений; 1А; 60В; Р.стрічки: 1мм; Жили: 10; L: 228мм
Стрічка FFC; луджений; 1А; 60В; Р.стрічки: 1мм; Жили: 10; L: 228мм

29,71 грн

Вид матеріалу:
негалогенний
Властивості з’єднувального кабелю:
контакти з протилежного боку
Довжина:
228мм
Номінальна напруга:
60В
Транзистор: N-MOSFET x2; 100мА; 150мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; 100мА; 150мВт

5,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,15Вт
Струм стока:
0,1А
Транзистор: N/P-MOSFET; 80В; 2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 80В; 2Вт; SOP8

48,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,5/6,7нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD