Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 29А; Idm: 98А; 12Вт; DFN8

Немає в наявності
Код товару: NVMFD5C478NLT1G
120,38 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMFD5C478NLT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 8,1нКл
Корпус: DFN8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 14,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 12Вт
Струм стока: 29А
Струм стоку в імпульсі: 98А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,9нФ; 10В; X7R; ±10%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,9нФ; 10В; X7R; ±10%; SMD; 0201

0,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 25В; X5R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 25В; X5R; ±10%; SMD; 0402

0,08 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 0805; 130мВт; ±5%; AC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 0805; 130мВт; ±5%; AC; -55÷155°C

0,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Зовнішні розміри:
2x1,25мм
Імпульсна макс. напруга:
300В
Недоступний
Резистор: thin film; 365кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8X
Резистор: thin film; 365кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8X

36,30 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 3,9кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 3,9кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C

0,10 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В

0,30 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
LED; 5мм; червоний; 310÷680мкд; 30°; Голівка: опукла; 2÷2,4ВDC
LED; 5мм; червоний; 310÷680мкд; 30°; Голівка: опукла; 2÷2,4ВDC

10,77 грн

Голівка:
опукла
Діаметр діода ДУВ:
5мм
Довжина хвилі λd:
631нм
Кількість виводів:
2
Транзистор: N-MOSFET x2; 100мА; 150мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; 100мА; 150мВт

5,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,15Вт
Струм стока:
0,1А
Транзистор: N/P-MOSFET; 80В; 2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 80В; 2Вт; SOP8

48,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,5/6,7нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD