Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 30А; Idm: 200А; 22,7Вт

Немає в наявності
Код товару: DI048N04PQ2
35,48 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DI048N04PQ2
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 48нКл
Корпус: QFN5x6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 11,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 22,7Вт
Струм стока: 30А
Струм стоку в імпульсі: 200А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Допоміжні контакти; Контакти: NC x2 + NO x2
Допоміжні контакти; Контакти: NC x2 + NO x2

831,22 грн

Конфігурація контактів:
NC x2 + NO x2
Тип аксесуарів для контакторів:
допоміжні контакти
Недоступний
Резистор: thick film; 37,4кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 37,4кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Пінцет: прямий; 145мм; Форма кінц.леза: заокруглений
Пінцет: прямий; 145мм; Форма кінц.леза: заокруглений

903,45 грн

Використання інструментів:
універсальний
Довжина пінцета:
145мм
Матеріал:
нержавіюча сталь
Тип пінцета:
прямий
Недоступний
Резистор: thick film; 18,7кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 18,7кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 2кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPB6B
Резистор: thick film; 2кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPB6B

2,61 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Конденсатор: керамічний; 1нФ; 50ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; 1нФ; 50ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0805

0,25 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
1нФ
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Without nut; NPT3/8"; IP68; brass; Entrelec; Cable gland: cable
Without nut; NPT3/8"; IP68; brass; Entrelec; Cable gland: cable

153,32 грн

Type of cable gland:
cable
Версія введення:
без гайки
Вид різьблення:
NPT; дюймове
Довжина гвинта:
11,5мм
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,5/6,7нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 3А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 3А; 0,96Вт; SuperSOT-6

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SuperSOT-6