1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 36А; Idm: 108А; 14Вт; DFN8

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 36А; Idm: 108А; 14Вт; DFN8
Немає в наявності
Код товару: NVMFD5C470NWFT1G
118,47 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMFD5C470NWFT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 8нКл
Корпус: DFN8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 11,7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 14Вт
Струм стока: 36А
Струм стоку в імпульсі: 108А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thin film; 1,07кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; TFR
Резистор: thin film; 1,07кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; TFR

33,13 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thin film; 390Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 390Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%

13,87 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Діод: перемикальний; SMD; 100В; 0,25А; 4нс; SOD123; Ufmax: 1,2В
Діод: перемикальний; SMD; 100В; 0,25А; 4нс; SOD123; Ufmax: 1,2В

1,18 грн

Вид упаковки:
ролик 13 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
мало сигнальний; швидке перемикання
Ємність:
1,5пФ
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Недоступний
Резистор: thick film; 10кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 10кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; CQ; 200В

0,72 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Резистор: thick film; 4,3Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJ6DQF
Резистор: thick film; 4,3Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJ6DQF

2,51 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Потенціометр: монтажний; 10кОм; однообертовий; горизонтальний
Потенціометр: монтажний; 10кОм; однообертовий; горизонтальний

45,62 грн

Вид потенціометра:
однообертовий
Допуск:
±30%
Кут обертання електричний:
220°
Кут обертання механічний:
235°
Недоступний
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 0402; 330мВт; ±1%; SG73P; 75В
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 0402; 330мВт; ±1%; SG73P; 75В

0,41 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,8/7,4нКл
Корпус:
TO252-4
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6

5,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,1нКл
Корпус:
UF6