Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 52А; Idm: 198А; 19Вт; DFN8

Немає в наявності
Код товару: NVMFD5C466NLT1G
146,35 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMFD5C466NLT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 16нКл
Корпус: DFN8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 7,4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 19Вт
Струм стока: 52А
Струм стоку в імпульсі: 198А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 100ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 100ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0805

2,80 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,22мкФ
Роз’єм: провід-провід; вилка; гніздовий; PIN: 8; прямий; на панель
Роз’єм: провід-провід; вилка; гніздовий; PIN: 8; прямий; на панель

112,14 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
8
Клас горючості:
UL94V-0
Діод: зенера; 0,35Вт; 11В; SMD; SOT23; одиночний діод
Діод: зенера; 0,35Вт; 11В; SMD; SOT23; одиночний діод

0,57 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
11В
Корпус:
SOT23
Недоступний
Резистор: thick film; 4,64кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D
Резистор: thick film; 4,64кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D

1,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 1,5Ом; 0603; 100мВт; ±5%; ERJ3GEY; 600ppm/°C
Резистор: thick film; 1,5Ом; 0603; 100мВт; ±5%; ERJ3GEY; 600ppm/°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,2нФ; 1кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,2нФ; 1кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1210

24,33 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Блок живлення: імпульсний; LED; 80Вт; 54ВDC; 0,9÷1,5А; 90÷305ВAC
Блок живлення: імпульсний; LED; 80Вт; 54ВDC; 0,9÷1,5А; 90÷305ВAC

2145,85 грн

Вид блоку живлення:
LED
Використання:
LED
Вихідна напруга:
54В DC
Вихідний струм:
0,9...1,5А
Транзистор: N-MOSFET x2; 100мА; 150мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; 100мА; 150мВт

5,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,15Вт
Струм стока:
0,1А
Транзистор: N/P-MOSFET; 80В; 2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 80В; 2Вт; SOP8

48,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,5/6,7нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD