Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 60А; Idm: 349А; 26Вт; WQFN12

Немає в наявності
Код товару: NTTFD4D0N04HLTWG
57,65 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: NTTFD4D0N04HLTWG
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 18нКл
Корпус: WQFN12
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 4,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 26Вт
Струм стока: 60А
Струм стоку в імпульсі: 349А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thick film; 500мОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 500мОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В

3,15 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
LED; жовто-зелений; SMD; 0603; 36÷72мкд; 1,75÷2,35ВDC; 120°; 20мА
LED; жовто-зелений; SMD; 0603; 36÷72мкд; 1,75÷2,35ВDC; 120°; 20мА

7,60 грн

Голівка:
плоске
Довжина хвилі λd:
568,5...574,5нм
Колір діода LED:
жовто-зелений
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Блок живлення: імпульсний; AC/DC; 300Вт; Uвих: 5В; 60А; OUT: 3; 83%
Блок живлення: імпульсний; AC/DC; 300Вт; Uвих: 5В; 60А; OUT: 3; 83%

6134,70 грн

Вид блоку живлення:
AC/DC
Вихідна напруга:
5В
Вихідний струм:
60А
Електричне під'єднування:
гвинтове
Недоступний
Резистор: thick film; 19,6кОм; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 19,6кОм; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,73 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0612
Корпус - мм:
1632
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 3,9кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 3,9кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C

0,10 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Маркер: кабельний; POM; білий; W: 5мм; Колір знаку: чорний; L: 5мм
Маркер: кабельний; POM; білий; W: 5мм; Колір знаку: чорний; L: 5мм

9,95 грн

Висота:
7,5мм
Довжина:
5мм
Колір:
білий
Колір друкованого знаку:
чорний
Діод: перемикальний; SMD; 50В; 0,3А; MiniMELF glass; Ifsm: 0,5А
Діод: перемикальний; SMD; 50В; 0,3А; MiniMELF glass; Ifsm: 0,5А

0,63 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
50В
Корпус:
MiniMELF glass
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; 100мА; 150мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; 100мА; 150мВт

5,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,15Вт
Струм стока:
0,1А
Транзистор: N/P-MOSFET; 80В; 2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 80В; 2Вт; SOP8

48,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,5/6,7нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD