Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 70А; Idm: 298А; 25Вт; DFN8

Name: Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 70А; Idm: 298А; 25Вт; DFN8
Brand: ONSEMI
SKU: NVMFD5C462NT1G
Price: 153.95 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: NVMFD5C462NT1G

153,95 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

NVMFD5C462NT1G

Виробник:

ONSEMI

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

16нКл

Корпус:

DFN8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

40В

Опір в стані провідності:

5,4мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

25Вт

Струм стока:

70А

Струм стоку в імпульсі:

298А

Тип транзистора:

N-MOSFET x2

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
1нКл

Корпус:
SuperSOT-6

Бажані

Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-SOT-363

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±12В

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид транзистора:
додаткова пара

Заряд затвора:
3,5/6,7нКл

Корпус:
SO8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
3нКл

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид транзистора:
додаткова пара

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів

Корпус:
SO8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 3А; 0,96Вт; SuperSOT-6

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
4,6нКл

Корпус:
SuperSOT-6