1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 360мА; Idm: 1,2А; 236мВт

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 360мА; Idm: 1,2А; 236мВт
Немає в наявності
Код товару: PJT138K-AU_R1_000A1
13,94 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PJT138K-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 1нКл
Корпус: SOT363
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 50В
Опір в стані провідності: 4,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,236Вт
Струм стока: 0,36А
Струм стоку в імпульсі: 1,2А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Резистор: thick film; 200Ом; 0805; 660мВт,667мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 200Ом; 0805; 660мВт,667мВт; ±1%; -55÷155°C

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 620кОм; SMD; 0508; 1Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 620кОм; SMD; 0508; 1Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C

0,26 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Недоступний
Провід; 3x2x24AWG; ПВХ; хром; 300В; 30м; CPR: Eca; 100футів
Провід; 3x2x24AWG; ПВХ; хром; 300В; 30м; CPR: Eca; 100футів

403,57 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; плівка AL-PET; подвійно екранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0805

1,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thick film; 27кОм; SMD; 2010; 500мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 27кОм; SMD; 2010; 500мВт; ±5%; CQ; 200В

0,92 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,2пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,2пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,23 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,2пФ
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; 2,2мкФ; 6,7кВDC; ±5%; Ø75x250мм
Конденсатор: поліпропиленовий; 2,2мкФ; 6,7кВDC; ±5%; Ø75x250мм

2225,67 грн

Допуск:
±5%
Ємність:
2,2мкФ
Кріплення:
гвинт M12
Робоча напруга:
3,4кВ AC; 6,7кВ DC
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,5/6,7нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 3А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 3А; 0,96Вт; SuperSOT-6

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SuperSOT-6