Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 111А; Idm: 502А; 62Вт; DFN8

Name: Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 111А; Idm: 502А; 62Вт; DFN8
Brand: ONSEMI
SKU: NTMFD5C650NLT1G
Price: 102.64 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: NTMFD5C650NLT1G

102,64 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

NTMFD5C650NLT1G

Виробник:

ONSEMI

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

37нКл

Корпус:

DFN8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

60В

Опір в стані провідності:

4,2мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

62Вт

Струм стока:

111А

Струм стоку в імпульсі:

502А

Тип транзистора:

N-MOSFET x2

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; 30В; 5А; 2Вт; SOP8

31,99 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
SOP8

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

40В; 5А; DFN; Канал: збагачений; 2Вт

18,44 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
3,5нКл

Корпус:
DFN

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; 45В; 4,5А; SOP8; автомобільна галузь; ESD

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
9,6нКл

Корпус:
SOP8

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; 500мА; 500мВт; UF6

13,11 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
UF6

Монтаж:
SMD

Потужність розсіювання:
0,5Вт

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,88А; 0,5Вт; SOT363

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
SOT363

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±8В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5,6А; 1,3Вт; SO8

29,14 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
9,6нКл

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид транзистора:
додаткова пара

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SO8