Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 111А; Idm: 502А; 62Вт; DFN8

Немає в наявності
Код товару: NVMFD5C650NLWFT1G
298,40 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMFD5C650NLWFT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 37нКл
Корпус: DFN8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 4,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 62Вт
Струм стока: 111А
Струм стоку в імпульсі: 502А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Резистор: thick film; 750Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; RC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 750Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; RC; -55÷155°C

0,93 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 270мкФ; 16ВDC; Ø8x15мм
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 270мкФ; 16ВDC; Ø8x15мм

5,77 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
15мм
Властивості конденсаторів:
висока надійність; компактні розміри корпусу
Діаметр:
8мм
Недоступний
Резистор: thick film; 2кОм; SMD; 2512; ±1%; 200В; 0,5мм; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2кОм; SMD; 2512; ±1%; 200В; 0,5мм; -55÷155°C

2,36 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 1; 2,7÷12ВDC; SOT23-5; 1,5мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 1; 2,7÷12ВDC; SOT23-5; 1,5мВ

46,25 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Властивості інтегральних мікросхем:
low power; rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
1,5мВ
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,53 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,5/6,7нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 3А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 3А; 0,96Вт; SuperSOT-6

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SuperSOT-6