1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 2,6А; 1,25Вт; SO8

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 2,6А; 1,25Вт; SO8
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: ZXMN6A11DN8TA
80,46 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: ZXMN6A11DN8TA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 0,18Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,25Вт
Струм стока: 2,6А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 150мкФ; 100ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 150мкФ; 100ВDC; ±20%

74,76 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
16,8мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
16мм
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 3; штекерний,гніздовий; вилка
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 3; штекерний,гніздовий; вилка

802,08 грн

Довжина проводу:
3,1м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP65
Недоступний
Резистор: thick film; 0Ом; SMD; 0805; -65÷170°C; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 0Ом; SMD; 0805; -65÷170°C; 100ppm/°C

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Провід; JZ-600 HMH; JZ; 18G2,5мм2; неекранований; 600В,1кВ; Cu
Провід; JZ-600 HMH; JZ; 18G2,5мм2; неекранований; 600В,1кВ; Cu

924,99 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
JZ
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 52; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 52; THT; 3A; 250V

209,07 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 3,6В; SMD; DO213AA; 3мкА
Діод: зенера; 500мВт; 3,6В; SMD; DO213AA; 3мкА

209,07 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
3,6В
Корпус:
DO213AA
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: мультіплексор; 8: 1; Ch: 16; TSSOP28; 3,3÷8ВDC,3,3÷16ВDC; 21МГц
IC: мультіплексор; 8: 1; Ch: 16; TSSOP28; 3,3÷8ВDC,3,3÷16ВDC; 21МГц

595,54 грн

Кількість каналів:
16
Конфігурація виходу:
8:1
Корпус:
TSSOP28
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
7,5/9,6нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,6/5,7нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 2Вт; SO8

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,4А; 0,95Вт
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,4А; 0,95Вт

96,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 5,5А; Idm: 35А; 1,7Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 5,5А; Idm: 35А; 1,7Вт

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
23,1нКл
Корпус:
U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 1А; Idm: 4А; 350мВт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 1А; Idm: 4А; 350мВт; SOT363

7,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,6нКл
Корпус:
SOT363