1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 20А; Idm: 66А; 12Вт; DFN8

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 20А; Idm: 66А; 12Вт; DFN8
Немає в наявності
Код товару: NVMFD5C680NLWFT1G
129,24 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMFD5C680NLWFT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 5нКл
Корпус: DFN8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 28мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 12Вт
Струм стока: 20А
Струм стоку в імпульсі: 66А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Амперметр; на панель; I AC: 0÷1кА; True RMS; Клас: 1,5; 50÷60Гц
Амперметр; на панель; I AC: 0÷1кА; True RMS; Клас: 1,5; 50÷60Гц

1400,79 грн

Вимір:
струму AC
Вимірювання дійсної ефективної величини:
True RMS
Вхідний струм:
1А
Клас герметичності:
IP52
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 25В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 25В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201

0,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Недоступний
Резистор: thin film; 182кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 182кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%

3,23 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 68Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±0,5%; 200В
Резистор: thick film; 68Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±0,5%; 200В

1,67 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

17,74 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
6,8нФ
Недоступний
Резистор: thick film; 2,4кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; ERJU1TF
Резистор: thick film; 2,4кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; ERJU1TF

6,72 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Вентилятор: DC; 80x80x25мм; осьовий; 12ВDC; 96,8м3/г; 46дБА; IP68
Вентилятор: DC; 80x80x25мм; осьовий; 12ВDC; 96,8м3/г; 46дБА; IP68

933,86 грн

Виводи:
проводи x3
Вид вентилятора:
осьовий
Вид підшипника:
кульковий
Двигун вентилятора:
безщітковий DC
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,8/7,4нКл
Корпус:
TO252-4
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6

5,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,1нКл
Корпус:
UF6