Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 247мА; Idm: 1,8А; 370мВт

Немає в наявності
Код товару: 2N7002DWS-7
18,37 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: 2N7002DWS-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора: 0,4нКл
Корпус: SOT363
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 4Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,37Вт
Струм стока: 247мА
Струм стоку в імпульсі: 1,8А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Резистор: thin film; 100Ом; SMD; MiniMELF; 0204; 250мВт; ±1%; 200В
Резистор: thin film; 100Ом; SMD; MiniMELF; 0204; 250мВт; ±1%; 200В

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
1,4мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

10,77 грн

Alias:
KAM15ACG1H220JT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 96кБ; 32МГц; SMD; TQFP64; PIC24; 8кБSRAM
IC: мікроконтролер PIC; 96кБ; 32МГц; SMD; TQFP64; PIC24; 8кБSRAM

231,25 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; PoR; RTCC; watchdog
Інтерфейс:
ADC; FIFO; I2C x2; IrDA; JTAG; LIN; PMP; PWM; RS232; RS485; SPI x2; UART x2
Недоступний
Роз’єм: M12; гніздо; PIN: 4; штекерний; промислова; M12 ALTW; метал
Роз’єм: M12; гніздо; PIN: 4; штекерний; промислова; M12 ALTW; метал

345,29 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина проводу:
0,15м
Електричний монтаж:
проводи
Резистор: thick film; 11кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 11кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,21 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 44,2кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; TFR
Резистор: thin film; 44,2кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; TFR

61,45 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,3пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,3пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,45 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,3пФ
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6

12,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2нКл
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
MicroFET
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT363