1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 36А; 24Вт; PowerPAK® 8x8L

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 36А; 24Вт; PowerPAK® 8x8L
Немає в наявності
Код товару: SQJQ960EL-T1_GE3
162,19 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SQJQ960EL-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 19нКл
Корпус: PowerPAK® 8x8L
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 24Вт
Струм стока: 36А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Насадка: 6-гранна; насадковий; HEX 4,5мм; 1/4"; Довж.насадки: 50мм
Насадка: 6-гранна; насадковий; HEX 4,5мм; 1/4"; Довж.насадки: 50мм

1019,39 грн

Вид ключа:
насадковий
Відповідність стандарту:
ISO 1174
Довжина насадки:
50мм
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
Недоступний
Кабель; Jack 6,3мм вилка x2,XLR "папа" 3pin; 15м; чорний; ПВХ
Кабель; Jack 6,3мм вилка x2,XLR "папа" 3pin; 15м; чорний; ПВХ

1517,36 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з мідного дроту
Вид жили:
Cu
Довжина кабелю:
15м
Зовнішні розміри проводу:
5x10,5мм
Недоступний
Провід; Xtra Guard® 1; 11x2x22AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В; 30,5м
Провід; Xtra Guard® 1; 11x2x22AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В; 30,5м

118371,91 грн

Bластивості проводів:
жили скручені попарно
Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; подвійно екранований; фольга Al-PET-Al
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Модуль автоматики: розширення; IN: 4; OUT: 4; OUT 1: реле; 5А; 24ВDC
Модуль автоматики: розширення; IN: 4; OUT: 4; OUT 1: реле; 5А; 24ВDC

4451,98 грн

Вид виходу 1:
реле
Вид входу 1:
цифровий
Електричні параметри виходу 1:
5А
Кількість виходів:
4
Недоступний
Вимикач безпеки: магнітний; F3S-TGR-N_R; NC x2; IP67; пластик
Вимикач безпеки: магнітний; F3S-TGR-N_R; NC x2; IP67; пластик

7320,08 грн

Дальність:
20мм
Довжина відводів:
5м
Клас герметичності:
IP67
Конфігурація контактів:
NC x2
Недоступний
Резистор: thick film; 750Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; RK73H; 200В
Резистор: thick film; 750Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; RK73H; 200В

5,40 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Реле: напівпровідниковe; SPST-NO; Uупр: 5ВDC; Iупр: 50А; 2,4А; HE
Реле: напівпровідниковe; SPST-NO; Uупр: 5ВDC; Iупр: 50А; 2,4А; HE

475,80 грн

Зовнішні розміри:
8,8x6,4x3,6мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Корпус:
DIP6
Модель реле:
1-фазний; PhotoMOS
Транзистор: N-MOSFET x2; 100мА; 150мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; 100мА; 150мВт

5,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,15Вт
Струм стока:
0,1А
Транзистор: N/P-MOSFET; 80В; 2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 80В; 2Вт; SOP8

48,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,5/6,7нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD