1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 4,5А; Idm: 18А; 2Вт; SOP8

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 4,5А; Idm: 18А; 2Вт; SOP8
Немає в наявності
Код товару: SH8K32GZETB
67,79 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SH8K32GZETB
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 7нКл
Корпус: SOP8
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 77мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2Вт
Струм стока: 4,5А
Струм стоку в імпульсі: 18А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; low ESR; 100нФ; 1,6кВDC; 650ВAC
Конденсатор: поліпропиленовий; low ESR; 100нФ; 1,6кВDC; 650ВAC

91,23 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Вид матеріалу:
що самогаситься
Властивості конденсаторів:
низький коефіцієнт втрат
Довжина відводів:
6мм
Недоступний
Перемикач: кнопковий; Поз: 2; (SPST-NO + SPST-NC) x2; 5A/250ВAC
Перемикач: кнопковий; Поз: 2; (SPST-NO + SPST-NC) x2; 5A/250ВAC

1251,90 грн

Виводи:
до лютування
Електрична стійкість:
50000 цикли
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,2пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,2пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

1,59 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1,2пФ
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Резистор: thick film; 14,3Ом; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 14,3Ом; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 470Ом; SMD; 1206; 1Вт; ±5%; SG73P; 200В
Резистор: thick film; 470Ом; SMD; 1206; 1Вт; ±5%; SG73P; 200В

0,58 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 470мкФ; 160ВDC; Ø18x35мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 470мкФ; 160ВDC; Ø18x35мм; ±20%

69,69 грн

Висота:
35мм
Діаметр:
18мм
Допуск:
±20%
Ємність:
470мкФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,2пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,2пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

1,62 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,2пФ
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,5/6,7нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 3А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 3А; 0,96Вт; SuperSOT-6

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SuperSOT-6