Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 42А; Idm: 119А; 18Вт; DFN8

Немає в наявності
Код товару: NVMFD5C674NLWFT1G
148,89 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMFD5C674NLWFT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 10нКл
Корпус: DFN8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 14,4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 18Вт
Струм стока: 42А
Струм стоку в імпульсі: 119А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 500кОм; THT; 250мВт; ±5%; 250В; Ш0,54x28мм
Резистор: вуглецевий; 500кОм; THT; 250мВт; ±5%; 250В; Ш0,54x28мм

0,41 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,8мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0805

0,37 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Ємність:
10нФ
Недоступний
Модуль: діодний; подвійна лінійна; 2кВ; If: 310А; Y1-CU; 520А
Модуль: діодний; подвійна лінійна; 2кВ; If: 310А; Y1-CU; 520А

9764,96 грн

Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
2кВ
Корпус:
Y1-CU
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,1пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,1пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,1пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 407Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73R; 75В
Резистор: thin film; 407Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73R; 75В

1,03 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Модуль автоматики: інвертор; 15кВт; 3x380ВAC; 380x480ВAC; 0÷10В
Модуль автоматики: інвертор; 15кВт; 3x380ВAC; 380x480ВAC; 0÷10В

35623,46 грн

Вихідна напруга інвертора:
3 x 380В AC
Вихід напруги:
0...10В
Вихідна частота:
0...590Гц
Властивості входу 1:
задавання швидкості обертання сигналом 0...10В, 4...20мА, 0...20мА
IC: мікроконтролер STM8; 24МГц; LQFP44; 3÷5,5ВDC; Таймери 16бит: 3
IC: мікроконтролер STM8; 24МГц; LQFP44; 3÷5,5ВDC; Таймери 16бит: 3

257,22 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
Beeper; IWDG; WWDG
Інтерфейс:
I2C; IrDA; SPI; UART x2
Кількість каналів PWM:
4
Кількість перетворювачів A/D 10бит:
9
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 60А; Idm: 80А
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 60А; Idm: 80А

115,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 56А; Idm: 100А; 31Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 56А; Idm: 100А; 31Вт; ESD

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27,8нКл
Корпус:
DFN3030-8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 28,5А; Idm: 180А; 31,6Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 28,5А; Idm: 180А; 31,6Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,6нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -9А; Idm: -36А; 2,8Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -9А; Idm: -36А; 2,8Вт; SOP8

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 32А; Idm: 128А; 55Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 32А; Idm: 128А; 55Вт

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
27нКл
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 40/-40В; 1,6Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 40/-40В; 1,6Вт

55,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
TO252-4
1,5А; Канал: збагачений; 500мВт
1,5А; Канал: збагачений; 500мВт

8,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,4нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,5Вт