Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 47А; Idm: 304А; 44Вт; PQFN12

Немає в наявності
Код товару: FDMD8260LET60
313,61 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDMD8260LET60
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 68нКл
Корпус: PQFN12
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 8,7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 44Вт
Струм стока: 47А
Струм стоку в імпульсі: 304А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Роз’єм: M12; вилка; PIN: 4; штекерний; промислова; SAI; 32В; IP67; IDC
Роз’єм: M12; вилка; PIN: 4; штекерний; промислова; SAI; 32В; IP67; IDC

535,35 грн

Alias:
SAISGI-P-4A-4/5.1-M12
Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
IDC
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 20; 3A; 200V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 20; 3A; 200V

150,79 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина відводів:
2,997мм
Електричний монтаж:
THT; паяння
Резистор: thick film; 240Ом; SMD; 0603; 100мВт; 1,6x0,8x0,45мм
Резистор: thick film; 240Ом; SMD; 0603; 100мВт; 1,6x0,8x0,45мм

0,20 грн

Зовнішні розміри:
1,6x0,8x0,45мм
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 22нФ; 630В; U2J; ±5%; THT; 5мм; 7,5x5,5x4мм
Конденсатор: керамічний; 22нФ; 630В; U2J; ±5%; THT; 5мм; 7,5x5,5x4мм

20,53 грн

Діелектрик:
U2J
Допуск:
±5%
Ємність:
22нФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Роз’єм: живлення DC; гніздо; гніздовий; роз'єм живлення; 5А; 24В
Роз’єм: живлення DC; гніздо; гніздовий; роз'єм живлення; 5А; 24В

54,49 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
гніздовий
Внутрішній діаметр контакту:
3мм
Довжина контакту:
9,1мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 34; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 34; SMT; 3A; 250V

389,64 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Випрямний міст: однофазний; Urmax: 1,2кВ; If: 30А; Ifsm: 500А; THT
Випрямний міст: однофазний; Urmax: 1,2кВ; If: 30А; Ifsm: 500А; THT

438,42 грн

Виводи:
конектори FASTON
Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6

12,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2нКл
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
MicroFET
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT363