Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 80В; 12А; Idm: 68А; 53Вт

Немає в наявності
Код товару: BUK9K30-80EX
63,99 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BUK9K30-80EX
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 17,5нКл
Корпус: LFPAK33; SOT1210
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±10В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 75мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 53Вт
Струм стока: 12А
Струм стоку в імпульсі: 68А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Наконечник; викрутка,подовжене; 2,5мм; 468°C; з нагрівачем
Наконечник; викрутка,подовжене; 2,5мм; 468°C; з нагрівачем

1908,90 грн

Застосування паяльного обладнання:
до паяльної станції
Модель:
з нагрівачем
Розміри наконечника:
2,5мм
Супутні товари:
CV-5210; CV-H1-AV; CV-UK1; MX-5210; MX-5241; MX-5251; MX-H1-AV
Недоступний
Недоступний
Резистор: thick film; 12Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; CRGH
Резистор: thick film; 12Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; CRGH

8,81 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 24; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 24; THT; 3A; 250V

124,81 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
8,6мм
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 130нГн; 640мА; R: 0,23Ом; ±5%; LQW
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 130нГн; 640мА; R: 0,23Ом; ±5%; LQW

4,75 грн

Допуск:
±5%
Індуктивність:
0,13мкГн
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
IC: Oпераційний підсилювач; 50МГц; Ch: 1; ±2,5÷18ВDC,5÷36ВDC; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 50МГц; Ch: 1; ±2,5÷18ВDC,5÷36ВDC; SO8

354,16 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
High Speed
Діапазон напруги живлення:
± 2,5...18В DC; 5...36В DC
Кількість каналів:
1
Недоступний
Резистор: thin film; 174Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 174Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

9,88 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,8/7,4нКл
Корпус:
TO252-4
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6

5,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,1нКл
Корпус:
UF6