Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; RF; 500В; 10А; 910Вт; T3A-8; 16дБ

Name: Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; RF; 500В; 10А; 910Вт; T3A-8; 16дБ
Brand: MICROCHIP TECHNOLOGY
SKU: ARF475FL
Price: 8328.70 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: ARF475FL

8328,70 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

ARF475FL

Виробник:

MICROCHIP TECHNOLOGY

Вид каналу:

збіднений

Вид транзистора:

Вид упаковки:

туба

Вихідна потужність:

900Вт

Властивості напівпровідникових елементів:

dual gate

Електричний монтаж:

THT; конектори FASTON; паяння

ККД:

55%

Корпус:

T3A-8

Механічний монтаж:

пригвинчуваний

Напруга затвор-джерело:

±30В

Напруга сток-джерело:

500В

Підсилення:

16дБ

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

910Вт

Структура напівпровідника:

спільне джерело

Струм стока:

10А

Тип транзистора:

N-MOSFET x2

Частота:

128МГц

Переглянуті товари

Недоступний

Бажані

Резистор: thin film; 12,7кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

48,15 грн

Виводи:
осьові

Діаметр:
3,7мм

Довжина:
10мм

Допуск:
±0,1%

Недоступний

Бажані

Діод: CRD; одиночний діод; DO7; 0,5Вт; 6÷60В; 7,38÷9,02мА; ±10%

361,76 грн

Допуск:
±10%

Корпус:
DO7

Монтаж:
THT

Потужність розсіювання:
0,5Вт

Недоступний

Бажані

Кабель; 1U30P; USB 3.1 Gen 2,з блокуванням x2; 5м; чорний

2994,17 грн

Будова екрану:
неекранований

Відповідність стандарту:
UL 20276; VW-1

Довжина кабелю:
5м

Застосування проводів:
промислові застосування; промислові камери

Недоступний

Бажані

Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 42; SMT; 3A; 250V

309,17 грн

Connector family:
data

Вид роз’єму:
штекерний

Вид упаковки:
туба

Електричний монтаж:
SMT

Бажані

Плетінка; STYO; Форма: кругла; Діам.жили: 17мм; 10м; мідна жила,RDS

26907,66 грн

Bластивості проводів:
еластичний; кручена супер гнучка

Вміст упаковки:
10м

Діаметр жили:
17мм

Переріз жили:
95мм2

Недоступний

Бажані

Резистор: thick film; 110кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RK73H; 150В

0,14 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200

Допуск:
±1%

Імпульсна макс. напруга:
200В

Корпус - дюйм:
0805

Бажані

Провід: світлопровід; BiTfiber Z-XOTKtsd; Øпров: 11,5мм; 9/125мкм

136,85 грн

Вид волокна:
SMF G652D

Застосування проводів:
зовнішні; промислові застосування; телекомунікація

Зовнішній діаметр проводу:
11,5мм

Ізоляційний матеріал проводу:
HDPE

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
SOT363

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±12В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
6,7нКл

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6

12,23 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
2нКл

Корпус:
TSOP6

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид транзистора:
додаткова пара

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів

Корпус:
SO8

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид транзистора:
додаткова пара

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SO8

Бажані

Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
17нКл

Корпус:
MicroFET

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-50В; 0,2Вт

14,76 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид транзистора:
додаткова пара

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів

Використання:
автомобільна галузь