Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-50В; 0,2Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BSS8402DWQ-13
14,76 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3
Код товару: BSS8402DWQ-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид транзистора: додаткова пара
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання: автомобільна галузь
Корпус: SOT363
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60/-50В
Опір в стані провідності: 10/13,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,2Вт
Струм стока: 0,115/-0,13А
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Резистор: thick film; 30Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 30Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: TVS; 30кВт; 245÷271В; 84А; двоспрямована; SPD4; ролик
Діод: TVS; 30кВт; 245÷271В; 84А; двоспрямована; SPD4; ролик

1229,73 грн

Вид упаковки:
ролик
Зворотна напруга макс.:
220В
Корпус:
SPD4
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 250В; X7R; ±20%; SMD; 2220
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 250В; X7R; ±20%; SMD; 2220

21,54 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Кристал; 16МГц; SMD; 5x3,2x1,2мм; 12пФ; Стаб.част: ±150ppm
Кристал; 16МГц; SMD; 5x3,2x1,2мм; 12пФ; Стаб.част: ±150ppm

24,65 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск резонаторів:
±30ppm
Ємність:
12пФ
Монтаж:
SMD
Резистор: thick film; 22кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 22кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,11 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
IC: перетворювач D/A; 8бит; 220кsps; Ch: 8; TSSOP16; -40÷125°C
IC: перетворювач D/A; 8бит; 220кsps; Ch: 8; TSSOP16; -40÷125°C

312,98 грн

Max DNL:
±0,15LSB
Max INL:
±0,5LSB
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Інтерфейс:
SPI
Недоступний
Резистор: thin film; 7,32кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB
Резистор: thin film; 7,32кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB

3,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,8/7,4нКл
Корпус:
TO252-4
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6

5,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,1нКл
Корпус:
UF6