Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; польовий; 30В; 8А

Немає в наявності
Код товару: SIR770DP-T1-GE3
40,55 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIR770DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 21нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 25мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 17,8Вт
Струм стока: 8А
Струм стоку в імпульсі: 35А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2 + Schottky
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,8нФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,8нФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD

2,03 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Резистор: thin film; 383кОм; 63мВт; 1,6x0,8x0,4мм
Резистор: thin film; 383кОм; 63мВт; 1,6x0,8x0,4мм

27,37 грн

Опір:
383кОм
Потужність:
63мВт
Розміри корпусу:
1,6x0,8x0,4мм
Тип резистора:
thin film
Недоступний
Резистор: thick film; 442Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 442Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Connector: wire-board; data; PIN: 3; shrouded; straight; soldering
Connector: wire-board; data; PIN: 3; shrouded; straight; soldering

63,99 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
3
Модель роз’єму:
закриті
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 29; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 29; THT; 3A; 250V

226,81 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 2; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 2; THT; straight

2,22 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
19,8мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; TQFP64; 256кБFLASH; ARM; ролик,cтрічка
IC: мікроконтролер ARM; TQFP64; 256кБFLASH; ARM; ролик,cтрічка

263,56 грн

Вид архітектури:
Cortex M4F
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); DMA; PoR; PWM; мікросхема watchdog
Інтерфейс:
EBI; EMI; Ethernet; I2C; I2S; IrDA; MMC; QSPI; UART; USART; USB
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 60А; Idm: 80А
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 60А; Idm: 80А

115,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 56А; Idm: 100А; 31Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 56А; Idm: 100А; 31Вт; ESD

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27,8нКл
Корпус:
DFN3030-8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 28,5А; Idm: 180А; 31,6Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 28,5А; Idm: 180А; 31,6Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,6нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -9А; Idm: -36А; 2,8Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -9А; Idm: -36А; 2,8Вт; SOP8

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 32А; Idm: 128А; 55Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 32А; Idm: 128А; 55Вт

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
27нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 1,9Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 1,9Вт

23,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13,2нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
30В
Транзистор: N/P-MOSFET; 30В; 5А; 2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 30В; 5А; 2Вт; SOP8

34,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В