1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; польовий; 30В

Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; польовий; 30В
Немає в наявності
Код товару: SIZ980BDT-T1-GE3
53,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIZ980BDT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 18/79нКл
Корпус: PowerPAIR® 3x3
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 7,12/1,72мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 20/66Вт
Струм стока: 54,8/197А
Струм стоку в імпульсі: 90...130А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2 + Schottky
Недоступний
Резистор: thick film; 910Ом; SMD; 1206; 600мВт; ±5%; AS; 200В
Резистор: thick film; 910Ом; SMD; 1206; 600мВт; ±5%; AS; 200В

1,05 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805

1,13 грн

Alias:
KGF21BR72A223KT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Конденсатор: керамічний; 12пФ; 500ВDC; C0G (NP0); SMD; 1111
Конденсатор: керамічний; 12пФ; 500ВDC; C0G (NP0); SMD; 1111

146,35 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
12пФ
Корпус - дюйм:
1111
Корпус - мм:
2828
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 1кБEEPROM; SPI; 128x8бит; SOIC8; послідовний
IC: пам'ять EEPROM; 1кБEEPROM; SPI; 128x8бит; SOIC8; послідовний

29,71 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
SOIC8
Недоступний
Вентилятор: DC; 80x80x32мм; осьовий; 24ВDC; 90,6м3/г; 44дБА
Вентилятор: DC; 80x80x32мм; осьовий; 24ВDC; 90,6м3/г; 44дБА

1400,79 грн

Виводи:
проводи x3
Вид вентилятора:
осьовий
Вид матеріалу:
що самогаситься
Вид підшипника:
кульковий
Недоступний
Резистор: thick film; 4,3Ом; SMD; 1206; 330мВт; ±1%; CS; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,3Ом; SMD; 1206; 330мВт; ±1%; CS; -55÷155°C

1,02 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування,модульний; 2300Вт
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування,модульний; 2300Вт

40877,52 грн

Вид блоку живлення:
для вбудовування; модульний
Вид корпусу:
293A
Вихідна напруга:
55В DC
Вихідний струм:
41,8А
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,3А; 0,5Вт; PG-SOT-363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,3А; 0,5Вт; PG-SOT-363

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 12/14А; 9/10Вт; DFN3x3A
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 12/14А; 9/10Вт; DFN3x3A

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,9/6нКл
Корпус:
DFN3x3A
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 0,35/-0,2А; 990мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 0,35/-0,2А; 990мВт

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,68/0,72нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,14А; 0,12Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,14А; 0,12Вт; SOT363

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,25А; 0,31Вт; SOT363; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,25А; 0,31Вт; SOT363; ESD

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT363
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; польовий; 500В; 13А; Idm: 55А
Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; польовий; 500В; 13А; Idm: 55А

791,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
ISOPLUS i4-pac™ x024a
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,212А; 0,25Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,212А; 0,25Вт

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC70-6; SC88; SOT363
Монтаж:
SMD