Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; польовий; 30В

Немає в наявності
Код товару: SIZ980DT-T1-GE3
51,32 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIZ980DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 18/77нКл
Корпус: PowerPAIR® 3x3
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 10/2,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 20/66Вт
Струм стока: 20/60А
Струм стоку в імпульсі: 90...130А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2 + Schottky
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 18; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 18; SMT; 3A; 250V

97,57 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Висота:
11,6мм
Недоступний
Резистор: thick film; 24Ом; SMD; 01005; 31,25мВт; ±5%; 15В
Резистор: thick film; 24Ом; SMD; 01005; 31,25мВт; ±5%; 15В

0,25 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
01005
Корпус - мм:
0402
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 100ВDC; X7S; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 100ВDC; X7S; ±10%; SMD; 1206

6,02 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7S
Допуск:
±10%
Ємність:
2,2мкФ
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 1200мкФ; 10ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 1200мкФ; 10ВDC; ±20%

20,08 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
25мм
Діаметр:
10мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Діод: TVS збірка; 40В; 0,2кВт; односпрямована; SOD882T; Ch: 1
Діод: TVS збірка; 40В; 0,2кВт; односпрямована; SOD882T; Ch: 1

5,26 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
36В
Кількість каналів:
1
Недоступний
Tap: metric; M8; 1.25; L: 90mm; Holder: square,machine; 8mm; 6H
Tap: metric; M8; 1.25; L: 90mm; Holder: square,machine; 8mm; 6H

1419,79 грн

Type of tap:
метрична
Вид рукоятки:
квадрат; машина
Використання інструментів:
алюміній; для некрізних отворів; нержавіюча сталь; пластмаса
Відповідність стандарту:
DIN 371; DIN ISO 13
Роз’єм: провід-провід; гніздо; штекерний,гніздовий; Iном: 2А; 14В
Роз’єм: провід-провід; гніздо; штекерний,гніздовий; Iном: 2А; 14В

62,72 грн

Вид роз’єму:
гніздовий; штекерний
Електричний монтаж:
затискання; компресійний
Кількість пін:
1
Колір:
чорний
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 60А; Idm: 80А
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 60А; Idm: 80А

115,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 56А; Idm: 100А; 31Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 56А; Idm: 100А; 31Вт; ESD

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27,8нКл
Корпус:
DFN3030-8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 28,5А; Idm: 180А; 31,6Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 28,5А; Idm: 180А; 31,6Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,6нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -9А; Idm: -36А; 2,8Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -9А; Idm: -36А; 2,8Вт; SOP8

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 32А; Idm: 128А; 55Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 32А; Idm: 128А; 55Вт

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
27нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 1,9Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 1,9Вт

23,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13,2нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
30В
Транзистор: N/P-MOSFET; 30В; 5А; 2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 30В; 5А; 2Вт; SOP8

34,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В