Транзистор: N-MOSFET x2; SGT; польовий; 60В; 40А; 62Вт; DFN5x6-8

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: GT090N06D52
48,15 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT090N06D52
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 22нКл
Корпус: DFN5x6-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 62Вт
Струм стока: 40А
Технологія: SGT
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Patch cord; S/FTP; Cat 6a; RJ45 вилка,з обох сторін; 0,25м; Cu
Patch cord; S/FTP; Cat 6a; RJ45 вилка,з обох сторін; 0,25м; Cu

69,69 грн

Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; пари екрановані фольгою AL-PET; подвійно екранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
S/FTP
Провід; ÖLFLEX® HEAT 260 SC; 1x24AWG; тросик; Cu; PTFE; синій
Провід; ÖLFLEX® HEAT 260 SC; 1x24AWG; тросик; Cu; PTFE; синій

88,06 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; сріблена
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 300мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 300мА

492,90 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
0,3А
Вхідна напруга:
18...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Резистор: thick film; 1,91Ом; 0402; 62,5мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,91Ом; 0402; 62,5мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
1,91Ом
Недоступний
Резистор: thin film; 3,65кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 3,65кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

4,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Діод: TVS збірка; 13,3В; 0,3кВт; двоспрямована; SOIC8; Ch: 5
Діод: TVS збірка; 13,3В; 0,3кВт; двоспрямована; SOIC8; Ch: 5

128,61 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Ємність:
75пФ
Зворотна напруга макс.:
12В
Кількість каналів:
5
Недоступний
Резистор: thin film; 1,43кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 1,43кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

21,16 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,8/7,4нКл
Корпус:
TO252-4
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6

5,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,1нКл
Корпус:
UF6