1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 20В; 2,6А; Idm: 12А

Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 20В; 2,6А; Idm: 12А
Немає в наявності
Код товару: PMDPB30XNZ
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: PMDPB30XNZ
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 21,7нКл
Корпус: DFN2020-6; HUSON6; SOT1118
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 69мОм
Поляризація: польовий
Струм стока: 2,6А
Струм стоку в імпульсі: 12А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 33нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; THT; 2,5мм
Конденсатор: керамічний; 33нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; THT; 2,5мм

7,41 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
33нФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 120пФ; 25В; X7R; ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 120пФ; 25В; X7R; ±5%; SMD; 0201

0,54 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Ємність:
0,12нФ
Конденсатор: керамічний; 270пФ; 50ВDC; ±5%; SMD; Thk: 0,5мм
Конденсатор: керамічний; 270пФ; 50ВDC; ±5%; SMD; Thk: 0,5мм

0,25 грн

Допуск:
±5%
Ємність:
270пФ
Монтаж:
SMD
Робоча напруга:
50В DC
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 6,8В; DO35; 1мкА; Ufmax: 1,1В
Діод: зенера; 500мВт; 6,8В; DO35; 1мкА; Ufmax: 1,1В

375,70 грн

Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
6,8В
Корпус:
DO35
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,9мкФ; 25В; X7R; ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,9мкФ; 25В; X7R; ±5%; SMD; 1206

5,70 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 50Ом; SMD; 0603; 200мВт; ±1%; HP; 75В
Резистор: thick film; 50Ом; SMD; 0603; 200мВт; ±1%; HP; 75В

0,20 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 220нГн; ±20%; 5,7x5,2x1,6мм
Реактор: дротяний; SMD; 220нГн; ±20%; 5,7x5,2x1,6мм

15,52 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,22мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
5,7x5,2x1,6мм
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6

12,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2нКл
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
MicroFET
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT363