Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 20В; 400мА; Idm: 2,5А

Немає в наявності
Код товару: PMDXB600UNEZ
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5000
Крок додавання: 5000
Код товару: PMDXB600UNEZ
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 0,7нКл
Корпус: DFN1010B-6; SOT1216
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 1Ом
Поляризація: польовий
Струм стока: 0,4А
Струм стоку в імпульсі: 2,5А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Кабель; RCA гніздо,RCA вилка; 1м; Покриття: позолочений; 0,5мм2
Кабель; RCA гніздо,RCA вилка; 1м; Покриття: позолочений; 0,5мм2

643,06 грн

Довжина кабелю:
1м
Колір ізоляції:
помаранчевий
Конструкція кабелю/переходу:
RCA вилка; RCA гніздо
Переріз жили:
0,5мм2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 16пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 16пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

0,14 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
IC: мікроконтролер PIC; 28кБ; 32МГц; 2,3÷5,5ВDC; SMD; TQFP44; PIC16
IC: мікроконтролер PIC; 28кБ; 32МГц; 2,3÷5,5ВDC; SMD; TQFP44; PIC16

151,42 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); Phase locked loop; PoR; watchdog
Генератор вбудований:
32кГц; 32МГц
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 38; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 38; SMT; straight

126,08 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
10,4мм
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,2пФ; 250В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,2пФ; 250В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

3,67 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1,2пФ
Резистор: thick film; 40,2Ом; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 40,2Ом; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C

3,80 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 64МГц; UFQFPN28; 1,7÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 64МГц; UFQFPN28; 1,7÷3,6ВDC

0,00 грн

Вид архітектури:
Cortex M0+
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
12bit ADC; Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; PdR; PoR; PVD; RTC; watchdog
Інтерфейс:
I2C x2; LPUART; SPI x2; USART x2
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 50/-60В; 350мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 50/-60В; 350мВт

15,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,95/1,1нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 7А; Idm: 28А; 2Вт; TSSOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 7А; Idm: 28А; 2Вт; TSSOP8

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8,8нКл
Корпус:
TSSOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 65В; 32А; Idm: 128А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 65В; 32А; Idm: 128А; 25Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 10А; Idm: 40А; 3Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 10А; Idm: 40А; 3Вт; SOP8

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
25,8нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,4Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,4Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4/7нКл
Транзистор: P-MOSFET x2; -20В; -3А; 2Вт
Транзистор: P-MOSFET x2; -20В; -3А; 2Вт

16,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Напруга сток-джерело:
-20В
Транзистор: N/P-MOSFET
Транзистор: N/P-MOSFET

15,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Тип транзистора:
N/P-MOSFET