1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 20В; 500мА; Idm: 3,2А

Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 20В; 500мА; Idm: 3,2А
Немає в наявності
Код товару: PMDT290UNE,115
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 4000
Крок додавання: 4000
Код товару: PMDT290UNE,115
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 0,68нКл
Корпус: SOT666
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 610мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,5Вт
Струм стока: 0,5А
Струм стоку в імпульсі: 3,2А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Роз’єм: провід-провід; вилка; штекерний,гніздовий; PIN: 6; прямий
Роз’єм: провід-провід; вилка; штекерний,гніздовий; PIN: 6; прямий

94,40 грн

Вид роз’єму:
гніздовий; штекерний
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
6
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 430пФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0202
Конденсатор: керамічний; MLCC; 430пФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0202

40,55 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 5; 7,5м; 60ВDC; 60ВAC; 4А; Жили: 5; 7004; PUR
Кабель: до датчиків; PIN: 5; 7,5м; 60ВDC; 60ВAC; 4А; Жили: 5; 7004; PUR

5494,18 грн

Довжина кабелю:
7,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
Недоступний
Резистор: thin film; 110кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 110кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В

0,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 1,7÷2,2В; TSSOP8; -40÷125°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 1,7÷2,2В; TSSOP8; -40÷125°C

138,75 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TSSOP8
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201

0,25 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6

12,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2нКл
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
MicroFET
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT363