Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 100В; 2,5А; Idm: 10А

Немає в наявності
Код товару: SI7922DN-T1-GE3
47,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI7922DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 8нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 0,23Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,6Вт
Струм стока: 2,5А
Струм стоку в імпульсі: 10А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Індикатор: LED; плоска; жовтий; Ø6мм; IP67; Q6; латунь; ØLED: 3мм
Індикатор: LED; плоска; жовтий; Ø6мм; IP67; Q6; латунь; ØLED: 3мм

354,79 грн

Виводи:
до лютування; конектори
Вид індикатора:
плоска
Діаметр діода ДУВ:
3мм
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5нФ; 250В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5нФ; 250В; X7R; ±10%; SMD; 0603

4,50 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
1,5нФ
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 32; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 32; THT; 3A; 100V

269,26 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 4,64кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR
Резистор: thin film; 4,64кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR

24,08 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 18ВDC; SPST-NO; 16A/250ВAC; RM85
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 18ВDC; SPST-NO; 16A/250ВAC; RM85

89,96 грн

Зовнішні розміри:
29x12,7x15,7мм
Клас герметичності:
IP40
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Макс. напруга котушки:
45,9В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 34кОм; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 34кОм; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,74 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0612
Корпус - мм:
1632
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 630ВDC; X7R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 630ВDC; X7R; ±10%; SMD; 1210

9,88 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
47нФ
Транзистор: N-MOSFET x2; 100мА; 150мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; 100мА; 150мВт

5,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,15Вт
Струм стока:
0,1А
Транзистор: N/P-MOSFET; 80В; 2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 80В; 2Вт; SOP8

48,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,5/6,7нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD