1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 100В; 5,9А; Idm: 20А

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 100В; 5,9А; Idm: 20А
Немає в наявності
Код товару: SI7942DP-T1-E3
70,96 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI7942DP-T1-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 24нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 60мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,5Вт
Струм стока: 5,9А
Струм стоку в імпульсі: 20А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Кристал; 32МГц; SMD; 2x1,6x0,6мм; 10пФ; Стаб.част: ±10ppm; -30÷85°C
Кристал; 32МГц; SMD; 2x1,6x0,6мм; 10пФ; Стаб.част: ±10ppm; -30÷85°C

13,81 грн

Допуск резонаторів:
±30ppm
Ємність:
10пФ
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-30...85°C
Недоступний
Резистор: thick film; 36,5Ом; 0201; 50мВт; ±5%; CRT; -55÷125°C
Резистор: thick film; 36,5Ом; 0201; 50мВт; ±5%; CRT; -55÷125°C

0,02 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Опір:
36,5Ом
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWH; 0,0036мкФ; 1,6кВDC; THT; ±5%
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWH; 0,0036мкФ; 1,6кВDC; THT; ±5%

9,12 грн

Допуск:
±5%
Ємність:
3,6нФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
10мм
Недоступний
Резистор: thin film; 2,13кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 2,13кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Перемикач: кнопковий; 22мм; Фікс.поз: 2; NC + NO x2; синій; немає
Перемикач: кнопковий; 22мм; Фікс.поз: 2; NC + NO x2; синій; немає

864,80 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Властивості перемикачів:
із захисною кришкою
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
2
Недоступний
Резистор: thick film; 430мОм; SMD; 1206; 330мВт; ±5%; CS; -55÷155°C
Резистор: thick film; 430мОм; SMD; 1206; 330мВт; ±5%; CS; -55÷155°C

0,99 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET x2; 100мА; 150мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; 100мА; 150мВт

5,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,15Вт
Струм стока:
0,1А
Транзистор: N/P-MOSFET; 80В; 2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 80В; 2Вт; SOP8

48,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,5/6,7нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD