Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 12В; PowerPAK® SO8

Немає в наявності
Код товару: SQJ204EP-T1_GE3
33,26 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJ204EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 12В
Поляризація: польовий
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Конденсатор: танталовий; low ESR; 220мкФ; 10ВDC; SMD; D; 2917; ±10%
Конденсатор: танталовий; low ESR; 220мкФ; 10ВDC; SMD; D; 2917; ±10%

97,57 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Допуск:
±10%
Ємність:
220мкФ
Корпус:
D
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0603

0,91 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0402

0,11 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
3,3нФ
Недоступний
Діод: TVS; 15кВт; 245,7В; односпрямована; P600; Ch: 1; ролик,cтрічка
Діод: TVS; 15кВт; 245,7В; односпрямована; P600; Ch: 1; ролик,cтрічка

621,52 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
220В
Кількість каналів:
1
Корпус:
P600
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 40; THR,THT; 3A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 40; THR,THT; 3A

115,94 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
9,2мм
Недоступний
Роз’єм: провід-плата; чорний; штекерний; Покриття: позолочений
Роз’єм: провід-плата; чорний; штекерний; Покриття: позолочений

145,08 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
SMT
Кількість пін:
10
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Резистор: thin film; 46,4кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR
Резистор: thin film; 46,4кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR

37,38 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET x2; 100мА; 150мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; 100мА; 150мВт

5,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,15Вт
Струм стока:
0,1А
Транзистор: N/P-MOSFET; 80В; 2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 80В; 2Вт; SOP8

48,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,5/6,7нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD