1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 20В; 0,45А; Idm: 3А

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 20В; 0,45А; Idm: 3А
Немає в наявності
Код товару: SQ1902AEL-T1_GE3
11,02 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQ1902AEL-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 1,2нКл
Корпус: SC70-6; SOT363
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 415мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,43Вт
Струм стока: 0,45А
Струм стоку в імпульсі: 3А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thick film; 1,1Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F
Резистор: thick film; 1,1Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F

2,28 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 12А; 12A/250ВAC
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 12А; 12A/250ВAC

78,56 грн

Виводи:
до лютування
Кількість пін:
4
Кількість режмів роботи:
1
Конструкція:
одна обмотка
Недоступний
Діод: зенера; 0,35Вт; 22В; SMD; SOT23; одиночний діод
Діод: зенера; 0,35Вт; 22В; SMD; SOT23; одиночний діод

1,84 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
22В
Корпус:
SOT23
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 50В; X8R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 50В; X8R; ±10%; SMD; 1206

3,74 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8R
Допуск:
±10%
Недоступний
Випрямний міст: однофазний; Urmax: 800В; Ufmax: 1,1В; If: 8А; MP-8
Випрямний міст: однофазний; Urmax: 800В; Ufmax: 1,1В; If: 8А; MP-8

41,81 грн

Виводи:
дріт Ø1,3мм
Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated; пластиковий корпус з радіатором
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; HQ; 200В

0,58 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thin film; 2,4кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 2,4кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

10,14 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,8/7,4нКл
Корпус:
TO252-4
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6

5,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,1нКл
Корпус:
UF6