1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 20В; 1,2А; Idm: 4А

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 20В; 1,2А; Idm: 4А
Немає в наявності
Код товару: SI1922EDH-T1-BE3
7,03 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI1922EDH-T1-BE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 2,5нКл
Корпус: SC70-6; SC88; SOT363
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 198мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,25Вт
Струм стока: 1,2А
Струм стоку в імпульсі: 4А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Резистор: thin film; 7,87кОм; SMD; 0603; 62,5мВт; RN; -55÷155°C
Резистор: thin film; 7,87кОм; SMD; 0603; 62,5мВт; RN; -55÷155°C

25,98 грн

Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Опір:
7,87кОм
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 560мкФ; 350ВDC; Ø40x40мм
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 560мкФ; 350ВDC; Ø40x40мм

429,55 грн

Виводи:
конектори
Висота:
40мм
Діаметр:
40мм
Допуск:
±20%
Недоступний
IC: мікроконтролер MSP430; 16МГц; LQFP64; I2C,SPI,UART; 1,8÷3,6В
IC: мікроконтролер MSP430; 16МГц; LQFP64; I2C,SPI,UART; 1,8÷3,6В

375,70 грн

Вид архітектури:
MSP430
Інтерфейс:
I2C; SPI; UART
Корпус:
LQFP64
Монтаж:
SMD
Плата: універсальна; одностороння,прототипна; W: 100мм; L: 160мм
Плата: універсальна; одностороння,прототипна; W: 100мм; L: 160мм

401,67 грн

Діаметр отвору:
1мм
Довжина:
160мм
Матеріал:
FR4; епоксидна смола; скловолокно
Модель плати:
одностороння; прототипна
Недоступний
Резистор: thick film; 8,25Ом; SMD; 0805; 333мВт; ±1%; SR73
Резистор: thick film; 8,25Ом; SMD; 0805; 333мВт; ±1%; SR73

1,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Реле: встановлювальний; бістабільне,імпульсний; SPDT + NO; 16А
Реле: встановлювальний; бістабільне,імпульсний; SPDT + NO; 16А

3563,11 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Властивості реле:
управління безперервним сигналом
Конфігурація контактів:
SPDT + NO
Модель реле:
бістабільне; імпульсний
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,4пФ
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 5,4А; Idm: 20А; 1,7Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 5,4А; Idm: 20А; 1,7Вт; SOP8

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,4нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 8,5А; Idm: 56А; 1,56Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 8,5А; Idm: 56А; 1,56Вт; ESD

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22,1нКл
Корпус:
DFN2030-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -50В; -130мА; Idm: -0,52А
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -50В; -130мА; Idm: -0,52А

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 28А; Idm: 112А; 18,4Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 28А; Idm: 112А; 18,4Вт

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
PDFN3030-8
Транзистор: N-MOSFET x2; SGT; польовий; 60В; 40А; 62Вт; DFN5x6-8
Транзистор: N-MOSFET x2; SGT; польовий; 60В; 40А; 62Вт; DFN5x6-8

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
DFN5x6-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; 30В; 6А; 1,5Вт; TSMT8
Транзистор: N/P-MOSFET; 30В; 6А; 1,5Вт; TSMT8

27,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
30В
Транзистор: N/P-MOSFET; 100В; TSMT8
Транзистор: N/P-MOSFET; 100В; TSMT8

27,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В