1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 0,63А; Idm: 1А

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 0,63А; Idm: 1А
Немає в наявності
Код товару: SI1900DL-T1-GE3
16,47 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI1900DL-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 1,4нКл
Корпус: SC70-6; SOT363
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 0,7Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,3Вт
Струм стока: 0,63А
Струм стоку в імпульсі: 1А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: metal film; 10кОм; THT; 250мВт; ±1%; MF; 250В; -55÷155°C
Резистор: metal film; 10кОм; THT; 250мВт; ±1%; MF; 250В; -55÷155°C

2,06 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,3мм
Довжина:
6,3мм
Допуск:
±1%
Недоступний
Резистор: thick film; 2,55Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; RK73H; 200В
Резистор: thick film; 2,55Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; RK73H; 200В

0,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
IC: цифровий; 3-позиційний,буфер,контролер лінії; Ch: 4; IN: 2
IC: цифровий; 3-позиційний,буфер,контролер лінії; Ch: 4; IN: 2

46,88 грн

Вид виходу:
3-позиційний
Вид об'єднаної схеми:
3-позиційний; буфер; контролер лінії
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
4
Недоступний
ROCKER; DPST; Поз: 2; OFF-ON; 16A/125ВAC; червоний; червоний; IP66
ROCKER; DPST; Поз: 2; OFF-ON; 16A/125ВAC; червоний; червоний; IP66

255,96 грн

Виводи:
конектори
Електрична стійкість:
50000 цикли
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
2
Недоступний
Оптрон; Ch: 1; OUT: Darlington; Uізол: 3,75кВ; Uce: 350В; SOP4; PIN: 4
Оптрон; Ch: 1; OUT: Darlington; Uізол: 3,75кВ; Uce: 350В; SOP4; PIN: 4

18,37 грн

Вид виходу:
Darlington
Кількість каналів:
1
Кількість пін:
4
Корпус:
SOP4
Недоступний
Резистор: thick film; 5,1Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; RK73H; 200В
Резистор: thick film; 5,1Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; RK73H; 200В

0,29 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6

12,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2нКл
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
MicroFET
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT363