1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 17/30А

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 17/30А
Немає в наявності
Код товару: SIZ346DT-T1-GE3
20,72 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIZ346DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 10/20нКл
Корпус: PowerPAIR® 3x3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 15,3/37мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 16/16,7Вт
Струм стока: 17/30А
Струм стоку в імпульсі: 25...100А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Ключ: плоский; двосторонній; 25мм,28мм; L: 277мм
Ключ: плоский; двосторонній; 25мм,28мм; L: 277мм

835,02 грн

Вид ключа:
двосторонній
Довжина:
277мм
Матеріал:
інструментальна сталь
Розмір ключа:
25мм; 28мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,4нФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,4нФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
IC: Ethernet switch; MDC,MDI,MDI-X,MDIO,MII,SPI; PQFN128; лоток
IC: Ethernet switch; MDC,MDI,MDI-X,MDIO,MII,SPI; PQFN128; лоток

397,24 грн

Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
PHY
Інтерфейс:
MDC; MDI; MDIO; MDI-X; MII; SPI
Категорія Ethernet:
10/100Base-T
Недоступний
Connector: IDC; socket; male; data; PIN: 4; PZK1400; straight; THT
Connector: IDC; socket; male; data; PIN: 4; PZK1400; straight; THT

19,13 грн

Connector family:
data
Виводи:
спереду
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 6,3В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 6,3В; X7R; ±10%; SMD; 0603

2,30 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Провід; HELUTHERM® 145; 1x0,34мм2; тросик; Cu; синій; -35÷120°C
Провід; HELUTHERM® 145; 1x0,34мм2; тросик; Cu; синій; -35÷120°C

25,98 грн

Bластивості проводів:
низьке виділення диму; сертифікат DNV
Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3мкФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3мкФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0805

4,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,8/7,4нКл
Корпус:
TO252-4
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6

5,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,1нКл
Корпус:
UF6