1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 4,6А; Idm: 20А

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 4,6А; Idm: 20А
Немає в наявності
Код товару: SI4936CDY-T1-E3
15,71 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: SI4936CDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 6нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 40мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,3Вт
Струм стока: 4,6А
Струм стоку в імпульсі: 20А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Patch cord; S/FTP; Cat 6; RJ45 вилка,з обох сторін; 10м; тросик
Patch cord; S/FTP; Cat 6; RJ45 вилка,з обох сторін; 10м; тросик

562,60 грн

Будова екрану:
обплетення з алюмінієвих дротів; пари екрановані фольгою AL-PET; подвійно екранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
S/FTP
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 25; THT; straight
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 25; THT; straight

45,62 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Довжина:
5,7мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: metal oxide; 15Ом; THT; 1Вт; ±5%; осьові; L: 9мм; Ø: 3мм
Резистор: metal oxide; 15Ом; THT; 1Вт; ±5%; осьові; L: 9мм; Ø: 3мм

2,19 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3мм
Довжина:
9мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,22пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,22пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,22пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 130мОм; SMD; 1206; 330мВт; ±1%; CS; -55÷155°C
Резистор: thick film; 130мОм; SMD; 1206; 330мВт; ±1%; CS; -55÷155°C

1,34 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Резистор: thick film; 4,53кОм; 0805; 125мВт; ±1%; ERJ6ENF
Резистор: thick film; 4,53кОм; 0805; 125мВт; ±1%; ERJ6ENF

4,43 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 1,6кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 1,6кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CQ; 200В

0,22 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 5,4А; Idm: 20А; 1,7Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 5,4А; Idm: 20А; 1,7Вт; SOP8

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,4нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 8,5А; Idm: 56А; 1,56Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 8,5А; Idm: 56А; 1,56Вт; ESD

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22,1нКл
Корпус:
DFN2030-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -50В; -130мА; Idm: -0,52А
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -50В; -130мА; Idm: -0,52А

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 28А; Idm: 112А; 18,4Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 28А; Idm: 112А; 18,4Вт

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
PDFN3030-8
Транзистор: N-MOSFET x2; SGT; польовий; 60В; 40А; 62Вт; DFN5x6-8
Транзистор: N-MOSFET x2; SGT; польовий; 60В; 40А; 62Вт; DFN5x6-8

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
DFN5x6-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; 30В; 6А; 1,5Вт; TSMT8
Транзистор: N/P-MOSFET; 30В; 6А; 1,5Вт; TSMT8

27,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
30В
Транзистор: N/P-MOSFET; 100В; TSMT8
Транзистор: N/P-MOSFET; 100В; TSMT8

27,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В