Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 7,5А; Idm: 30А

Немає в наявності
Код товару: SI4214DDY-T1-E3
20,21 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: SI4214DDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 22нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 19,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2Вт
Струм стока: 7,5А
Струм стоку в імпульсі: 30А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Провід; Xtra Guard® 1; 9x16AWG; ПВХ; темно-сірий; 600В; 305м
Провід; Xtra Guard® 1; 9x16AWG; ПВХ; темно-сірий; 600В; 305м

900623,26 грн

Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; подвійно екранований; фольга Al-PET-Al
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
CSA AWM I/II A/B FT4; UL 1015; UL 2501; UL 21896; VW-1
Недоступний
Блок живлення: імпульсний; LED; 12Вт; 12ВDC; 1А; 220÷240ВAC; IP20
Блок живлення: імпульсний; LED; 12Вт; 12ВDC; 1А; 220÷240ВAC; IP20

0,00 грн

Вид блоку живлення:
LED
Використання:
LED
Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
1А
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 41А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 41А

217,94 грн

Alias:
SV-SMT 7.62HP/03/270G 2.6SN BK RL
Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Висота:
14мм
Недоступний
LED; теплий білий; SMD; Корп.(мм): 3528; 25lm; 3500К; 95; 116°; 60мА
LED; теплий білий; SMD; Корп.(мм): 3528; 25lm; 3500К; 95; 116°; 60мА

6,84 грн

Голівка:
плоске
Колір діода LED:
теплий білий
Колірна температура:
3500К
Корпус - дюйм:
1411
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,9пФ; 50В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,9пФ; 50В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0402

1,03 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
1,9пФ
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 1800нГн; 290мА; R: 2,76Ом; ±10%
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 1800нГн; 290мА; R: 2,76Ом; ±10%

21,54 грн

Високосортність:
25
Допуск:
±10%
Застосування реакторів:
Додатки RF
Індуктивність:
1,8мкГн
Резистор: thick film; 4,7МОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 4,7МОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; 100ppm/°C

6,97 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
4,7мОм
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6

12,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2нКл
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
MicroFET
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT363