Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 8А; Idm: 32А

Немає в наявності
Код товару: SQ4282EY-T1_GE3
54,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: SQ4282EY-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 12,3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,9Вт
Струм стока: 8А
Струм стоку в імпульсі: 32А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Мірник: температури; аналоговий,біметалічний; 0÷160°C; A52
Мірник: температури; аналоговий,біметалічний; 0÷160°C; A52

3164,60 грн

Вимір:
температури
Властивості вимірювальних приладів:
заднє положення датчика
Діаметр:
100мм
Діапазон вимірювання температури:
0...160°C
Недоступний
Резистор: metal film; 27мОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CSN
Резистор: metal film; 27мОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CSN

1,98 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
LED; теплий білий; SMD; PLCC2; Корп.(мм): 3528; 5÷9lm; 2600-2870К
LED; теплий білий; SMD; PLCC2; Корп.(мм): 3528; 5÷9lm; 2600-2870К

3,23 грн

Колір діода LED:
теплий білий
Колірна температура:
2600-2870К
Корпус:
PLCC2
Корпус - мм:
3528
Недоступний
Резистор: thick film; 22кОм; 2010; 750мВт; ±1%; 400В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 22кОм; 2010; 750мВт; ±1%; 400В; -55÷155°C

5,45 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Резистор: thick film; 147Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; AC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 147Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; AC; -55÷155°C

0,15 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
3,1x1,6мм
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Провід; Alpha Essential C&C; 2x20AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В; 305м
Провід; Alpha Essential C&C; 2x20AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В; 305м

41234,85 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з мідного дроту
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
CSA FT4; C(UL) TYPE CMG; UL 2095; UL CM; VW-1
Недоступний
IC: пам'ять FLASH; 8МбFLASH; 100МГц; 2,7÷3,6В; SO8-W; послідовний
IC: пам'ять FLASH; 8МбFLASH; 100МГц; 2,7÷3,6В; SO8-W; послідовний

66,52 грн

Iнформація:
Продукт не призначений і не має бути використаний будь-яким чином, при якому несправність цього продукту може обгрунтовано спричинити серйозні травми або смерть. Забороняється використовувати будь-які продукти Adesto комерційного або промислового типу для застосування у двигуні внутрішнього згорання, а також будь-які продукти Adesto комерційного, промислового або автомобільного типу для аерокосмічного або військового застосування.
Вид пам’яті:
NOR
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
Dual-Input Program; Dual-Output Read; SPI / RapidS
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6

12,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2нКл
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
MicroFET
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT363