1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 30А; 27Вт

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 30А; 27Вт
Немає в наявності
Код товару: SQJB02ELP-T1_GE3
23,76 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJB02ELP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 7,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 27Вт
Струм стока: 30А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0402

6,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Мірник: опору ізоляції; LCD; Пробування: 5x/с; True RMS AC
Мірник: опору ізоляції; LCD; Пробування: 5x/с; True RMS AC

15249,64 грн

Вид вжитого дисплея:
LCD
Вимір:
напруги AC; напруги DC; опору ізоляції; резистансу; частоти
Вимірювальна напруга:
50В; 100В; 250В; 500В; 1кВ
Вимірювання дійсної ефективної величини:
True RMS AC
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 91кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В; L: 5,8мм
Резистор: вуглецевий; 91кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В; L: 5,8мм

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Фільтр: проти перешкод; 470нФ; R: 40мОм; SMD; 16ВDC; 2А; ±20%; 1206
Фільтр: проти перешкод; 470нФ; R: 40мОм; SMD; 16ВDC; 2А; ±20%; 1206

4,69 грн

Допуск:
±20%
Ємність:
0,47мкФ
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 1,27Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,27Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,60 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Конденсатор: керамічний; 0,1мкФ; 100ВDC; X7R; ±10%; THT; 5,08мм
Конденсатор: керамічний; 0,1мкФ; 100ВDC; X7R; ±10%; THT; 5,08мм

100,10 грн

Виводи:
радіальні
Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Транзистор: N/P-MOSFET x2; польовий; 30/-30В; 3,98/-3,36А; 0,87Вт
Транзистор: N/P-MOSFET x2; польовий; 30/-30В; 3,98/-3,36А; 0,87Вт

88,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
MOSFET H-Bridge
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,8/7,4нКл
Корпус:
TO252-4
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6

5,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,1нКл
Корпус:
UF6