1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 48А; Idm: 100А

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 48А; Idm: 100А
Немає в наявності
Код товару: SIZ240DT-T1-GE3
41,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIZ240DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 22/23нКл
Корпус: PowerPAIR® 3x3
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 13,3/12,25мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 33Вт
Струм стока: 48А
Струм стоку в імпульсі: 100А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

2,52 грн

Alias:
KGQ15ACG1H3R9CT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,8пФ; 25В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 01005
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,8пФ; 25В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 01005

0,92 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
9,8пФ
Недоступний
Діод: TVS; 58,9В; двоспрямована; 0,6кВт; Ch: 1; -65÷150°C
Діод: TVS; 58,9В; двоспрямована; 0,6кВт; Ch: 1; -65÷150°C

125,44 грн

Зворотна напруга макс.:
53В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
THT
Напруга пробою:
58,9В
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷5мм; 10÷30ВDC; M18; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷5мм; 10÷30ВDC; M18; IP67

1411,56 грн

Вид голівки:
екранований
Дальність:
0...5мм
Загальна довжина:
91мм
Кількість пін:
4
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 35ВDC; X5R; ±20%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 35ВDC; X5R; ±20%; SMD; 0805

5,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Ємність:
4,7мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 113кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±1%; HP; 75В
Резистор: thick film; 113кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±1%; HP; 75В

0,18 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Диференційний вимикач; Iном: 40А; Iдіф: 30мА; Полюси: 1+N; 240ВAC
Диференційний вимикач; Iном: 40А; Iдіф: 30мА; Полюси: 1+N; 240ВAC

5506,85 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Вид вимикача:
тип A
Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Відповідність стандарту:
EN 61009-1
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,8/7,4нКл
Корпус:
TO252-4
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6

5,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,1нКл
Корпус:
UF6