1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 60В; 15А; Idm: 60А

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 60В; 15А; Idm: 60А
Немає в наявності
Код товару: SQJ992EP-T1_GE3
31,68 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJ992EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 34Вт
Струм стока: 15А
Струм стоку в імпульсі: 60А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Connector: wire-board; data; 4.5A; 250V; PIN: 6; 5.08mm; tinned
Connector: wire-board; data; 4.5A; 250V; PIN: 6; 5.08mm; tinned

13,49 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
6
Клас горючості:
UL94V-2
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 39; THT; straight
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 39; THT; straight

48,78 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Довжина:
8,5мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Перемикач: кулачковий, декілька положень; Фікс.поз: 4; 20А; Поз: 4
Перемикач: кулачковий, декілька положень; Фікс.поз: 4; 20А; Поз: 4

2165,49 грн

Кількість всіх позицій:
4
Кількість полюсів:
1
Кількість фіксованих позицій:
4
Клас герметичності:
IP40 спереду
Недоступний
Резистор: thick film; 51кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±1%; SG73S; 150В
Резистор: thick film; 51кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±1%; SG73S; 150В

0,48 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: дротяний; 50Ом; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø6,35x12,7мм; осьові
Резистор: дротяний; 50Ом; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø6,35x12,7мм; осьові

610,75 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
6,35мм
Довжина:
12,7мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Резистор: thin film; 1,1кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 1,1кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%

32,12 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 22,6кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; TFR
Резистор: thin film; 22,6кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; TFR

14,51 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6

12,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2нКл
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
MicroFET
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT363