1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 70В; 31,8А; Idm: 60А

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 70В; 31,8А; Idm: 60А
Немає в наявності
Код товару: SIZ256DT-T1-GE3
39,28 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIZ256DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 27нКл
Корпус: PowerPAIR® 3x3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 70В
Опір в стані провідності: 20мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 33Вт
Струм стока: 31,8А
Струм стоку в імпульсі: 60А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thick film; 30кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±2%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 30кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±2%; 200В; -55÷125°C

0,14 грн

Допуск:
±2%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Connector: pin strips; data; PIN: 90; THT; 3A; vertical; 2.54mm
Connector: pin strips; data; PIN: 90; THT; 3A; vertical; 2.54mm

606,94 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
90
Клас горючості:
UL94V-0
Модуль робототехніки: перетворювач; DAC,перетворювач D/A; Ch: 1
Модуль робототехніки: перетворювач; DAC,перетворювач D/A; Ch: 1

651,93 грн

Iнформація:
виріб не є готовим приладом, а лише компонентом
Вид модуля:
DAC; перетворювач D/A
Вихідна напруга:
0...5В DC; 0...10В DC
Інтегральна схема:
GP8211S
Резистор: thick film; 510кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В
Резистор: thick film; 510кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В

1,79 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 576Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 576Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,18 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 158кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 158кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%

61,45 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPDT; 7А; 7A/250ВAC; UB
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPDT; 7А; 7A/250ВAC; UB

827,42 грн

Зовнішні розміри:
21,2x16,2x14,9мм
Конфігурація контактів:
SPDT
Макс. струм контактів:
7А
Матеріал контакту:
AgNi 90/10
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6

12,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2нКл
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
MicroFET
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT363