Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 70В; 9,4А; Idm: 60А

Немає в наявності
Код товару: SIZ254DT-T1-GE3
30,92 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIZ254DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 6,1нКл
Корпус: PowerPAIR® 3x3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 70В
Опір в стані провідності: 16,1мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 33Вт
Струм стока: 9,4А
Струм стоку в імпульсі: 60А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 19; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 19; THT; 3A; 250V

188,80 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
21мм
Недоступний
Резистор: thin film; 43Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В
Резистор: thin film; 43Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В

0,79 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 20Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 660мА
Перетворювач: DC/DC; 20Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 660мА

1901,29 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідна напруга 2:
-15В DC
Вихідний струм:
0,66А
Вхідна напруга:
18...75В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 3,9Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; NQ; 200В
Резистор: thick film; 3,9Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; NQ; 200В

1,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Гиря калібрування; із сертифікатом калібрування; Клас: OIML E2
Гиря калібрування; із сертифікатом калібрування; Клас: OIML E2

40144,50 грн

Weight mass:
1мг; 2мг; 5мг; 10мг; 20мг; 50мг; 100мг; 200мг; 500мг
Відповідність стандарту:
ISO/IEC 17025
Кількість в наборі/упаковці:
12шт.
Клас виконання:
OIML E2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0805

10,33 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Недоступний
Резистор: thin film; 80,6Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 80,6Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%

3,22 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6

12,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2нКл
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
MicroFET
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT363