Транзистор: N-MOSFET; X4-Class; N; 200В; 60А; 250Вт; TO247-3; 110нс

Немає в наявності
Код товару: IXTH60N20X4
429,55 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 300
Крок додавання: 300
Код товару: IXTH60N20X4
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 33нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: 20В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 21мОм
Поляризація: N
Потужність розсіювання: 250Вт
Струм стока: 60А
Технологія: X4-Class
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 110нс
Недоступний
Резистор: thin film; 6,19кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; RN73H; 50В
Резистор: thin film; 6,19кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; RN73H; 50В

3,80 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Резистор: thick film; 2,2МОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±5%; 50В
Резистор: thick film; 2,2МОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±5%; 50В

0,48 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; 5м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; Жили: 5
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; 5м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; Жили: 5

1175,88 грн

Довжина кабелю:
5м
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP65; IP67; IP68; IP69K
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Резистор: thin film; 301Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 301Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

5,70 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 52,3кОм; 0805; 125мВт; ±1%; ERJ6ENF
Резистор: thick film; 52,3кОм; 0805; 125мВт; ±1%; ERJ6ENF

0,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 21,6÷26,4ВDC; Uвих: 15ВDC; DIP24; THT
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 21,6÷26,4ВDC; Uвих: 15ВDC; DIP24; THT

604,41 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідна напруга 2:
-15В DC
Вихідний струм:
0,1А
Вхідна напруга:
21,6...26,4В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 30кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±0,1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 30кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±0,1%; 75В; -55÷155°C

1,09 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 130Вт; TO220AB; 60нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 130Вт; TO220AB; 60нс

151,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 110А; 480Вт; TO247-3; 85нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 110А; 480Вт; TO247-3; 85нс

349,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
150нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 96А; 625Вт; TO247-3; 158нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 96А; 625Вт; TO247-3; 158нс

371,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
114нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 6А; 300Вт; TO220AB; 64нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 6А; 300Вт; TO220AB; 64нс

650,03 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 76А; 460Вт; TO3P; 148нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 76А; 460Вт; TO3P; 148нс

377,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
92нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 32А; 1000Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 32А; 1000Вт; TO264

769,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 44А; 1040Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 44А; 1040Вт; TO264

921,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
198нКл
Корпус:
TO264