Транзистор: N-MOSFET x4; польовий; 60В; 8А; Idm: 50А; 22Вт; MLP12

Немає в наявності
Код товару: FDMQ86530L
98,83 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: FDMQ86530L
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів: logic level; MOSFET H-Bridge
Заряд затвора: 33нКл
Корпус: MLP12
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 17,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 22Вт
Струм стока: 8А
Струм стоку в імпульсі: 50А
Тип транзистора: N-MOSFET x4
Конденсатор: електролітичний; THT; 100мкФ; 16ВDC; Растр: 2,5мм
Конденсатор: електролітичний; THT; 100мкФ; 16ВDC; Растр: 2,5мм

9,88 грн

Виводи:
радіальні
Діаметр:
6,3мм
Допуск:
±20%
Ємність:
100мкФ
Резистор: thick film; 240Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 240Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В; -55÷155°C

1,63 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Резистор: thick film; 4,7Ом; 0603; 100мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,7Ом; 0603; 100мВт; ±5%; -55÷155°C

0,20 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 35; SMT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 35; SMT; 1.5A

440,95 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thick film; 69,8кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 69,8кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Connector: wire-wire/PCB; plug; male; data; Mini-Fit Sr; 600V; 10mm
Connector: wire-wire/PCB; plug; male; data; Mini-Fit Sr; 600V; 10mm

124,18 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Кількість пін:
2
Механічний монтаж:
для проводу
Недоступний
Резистор: thick film; 47,5кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 47,5кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,5/6,7нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 3А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 3А; 0,96Вт; SuperSOT-6

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SuperSOT-6