Транзистор: N-MOSFET

Name: Транзистор: N-MOSFET
Brand: INFINEON TECHNOLOGIES
SKU: IPB120N04S4L02ATMA1
Price: 62.08 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: IPB120N04S4L02ATMA1

62,08 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 1000

Крок додавання: 1000

Код товару:

IPB120N04S4L02ATMA1

Виробник:

INFINEON TECHNOLOGIES

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±8В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23

36,74 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
6нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TO252-3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,41 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TO263-3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,39 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
82нКл

Корпус:
D2PAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,01 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
7,1нКл

Корпус:
DFN3x3 EP

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
21,3нКл

Корпус:
DFN3.3x3.3 EP

Монтаж:
SMD