Транзистор: N-MOSFET

Немає в наявності
Код товару: IPB65R095C7ATMA2
177,38 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: IPB65R095C7ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Вимикач максимального струму; 415ВAC; Iном: 8А; Полюси: 4; Харкт: C
Вимикач максимального струму; 415ВAC; Iном: 8А; Полюси: 4; Харкт: C

11158,38 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
25кА
Відповідність стандарту:
CSA 22.2 No. 235; IEC EN 60898-1; IEC EN 60947-2; UL 1077
Електрична стійкість:
20000 цикли
Кількість полюсів:
4
Резистор: thin film
Резистор: thin film

105,16 грн

Тип резистора:
thin film
Недоступний
Радіатор: штампований; ребристий; алюмінієвий; L: 1000мм; W: 167мм
Радіатор: штампований; ребристий; алюмінієвий; L: 1000мм; W: 167мм

0,00 грн

Висота:
15мм
Довжина:
1м
Колір:
алюмінієвий
Матеріал:
алюміній
Резистор: thin film
Резистор: thin film

40,54 грн

Тип резистора:
thin film
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23

36,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21,3нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3 EP
Монтаж:
SMD