Транзистор: N-MOSFET

Немає в наявності
Код товару: IPB65R190CFD7AATMA1
98,19 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: IPB65R190CFD7AATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Датчик: температури
Датчик: температури

4359,71 грн

Тип датчика:
температури
Недоступний
Запобіжник: плавка; 6,3x32мм; керамічний; вуха під гвинт; 315мА
Запобіжник: плавка; 6,3x32мм; керамічний; вуха під гвинт; 315мА

459,28 грн

Вид запобіжника:
керамічний
Вид упаковки:
розсипний
Відповідність стандарту:
CE; cULus; C-UL-US
Енергія I2t:
0,071А2с
Резистор: thin film
Резистор: thin film

11,85 грн

Тип резистора:
thin film
Недоступний
Роз’єм: круглі; гніздо; PIN: 5; штекерний; промислова; SA12; 180В
Роз’єм: круглі; гніздо; PIN: 5; штекерний; промислова; SA12; 180В

400,37 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
5
Недоступний
Роз’єм: M12; вилка; штекерний,гніздовий; промислова; M12 ALTW
Роз’єм: M12; вилка; штекерний,гніздовий; промислова; M12 ALTW

532,14 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
гніздовий; штекерний
Довжина проводу:
2м
Електричний монтаж:
проводи
Недоступний
IC: пам'ять FRAM
IC: пам'ять FRAM

535,30 грн

Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять FRAM
Недоступний
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування; 1,5кВт; 150ВDC; 10А
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування; 1,5кВт; 150ВDC; 10А

37648,61 грн

Вид блоку живлення:
для вбудовування
Вихідна напруга:
150В DC
Вихідний струм:
10А
Додаткові функції:
Modbus; додатковий вихід standby 5В DC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,3А; Idm: 0,8А; 0,35Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,3А; Idm: 0,8А; 0,35Вт; SOT23

6,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 12А; Idm: 60А; 59Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 12А; Idm: 60А; 59Вт; TO252

38,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,1нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; 45В; 10,7А; 1,2Вт; TSOT26
Транзистор: N-MOSFET; 45В; 10,7А; 1,2Вт; TSOT26

10,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
TSOT26
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,15А; Idm: 0,77А; 0,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,15А; Idm: 0,77А; 0,5Вт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,63нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 100А; Idm: 1133А; 179Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 100А; Idm: 1133А; 179Вт

60,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 48А; Idm: 272А; 64Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 48А; Idm: 272А; 64Вт

53,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
26нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK

153,31 грн

Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
900В