Транзистор: N-MOSFET

Немає в наявності
Код товару: IPWS65R050CFD7AXKSA1
336,39 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 240
Крок додавання: 240
Код товару: IPWS65R050CFD7AXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Свердло; для металу; Ø: 33мм; L: 334мм; Довж.робочої частини: 185мм
Свердло; для металу; Ø: 33мм; L: 334мм; Довж.робочої частини: 185мм

3994,19 грн

Вид рукоятки:
конус Морзе
Відповідність стандарту:
DIN 345
Діаметр свердла:
33мм
Довжина:
334мм
Резистор: thin film
Резистор: thin film

122,90 грн

Тип резистора:
thin film
Недоступний
Перемикач: поворотний; 22мм; Фікс.поз: 3; NC + NO; чорний; немає
Перемикач: поворотний; 22мм; Фікс.поз: 3; NC + NO; чорний; немає

1097,21 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Кількість всіх позицій:
3
Кількість фіксованих позицій:
3
Клас герметичності:
IP66
Недоступний
Насадка: шестигранний-bit; HEX 12мм; 1/2"; хром-ванадієва сталь
Насадка: шестигранний-bit; HEX 12мм; 1/2"; хром-ванадієва сталь

529,60 грн

Відповідність стандарту:
DIN 7422
Довжина:
55мм
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
Матеріал покриття:
фосфатований
Резистор: thick film
Резистор: thick film

9665,87 грн

Тип резистора:
thick film
Роз’єм: круглі; промислова
Роз’єм: круглі; промислова

2012,61 грн

Connector family:
промислова
Тип роз’єму:
круглі
MCR006YLPJ181
MCR006YLPJ181

0,40 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23

36,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21,3нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3 EP
Монтаж:
SMD