Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 4,5/-3А; Idm: 12А; 1,5Вт

Немає в наявності
Код товару: QH8MA2TCR
49,42 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: QH8MA2TCR
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 7,8/8,4нКл
Корпус: TSMT8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30/-30В
Опір в стані провідності: 56/115мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,5Вт
Струм стока: 4,5/-3А
Струм стоку в імпульсі: 12А
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 32; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 32; SMT; 3A; 250V

140,02 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина контакту:
6,7мм
Patch cord; S/FTP; Cat 6a; RJ45 вилка,з обох сторін; 5м; тросик
Patch cord; S/FTP; Cat 6a; RJ45 вилка,з обох сторін; 5м; тросик

1656,11 грн

Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; пари екрановані фольгою AL-PET; подвійно екранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
S/FTP
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 5; М12 "папа" кутовий,з обох сторін
Кабель: до датчиків; PIN: 5; М12 "папа" кутовий,з обох сторін

726,05 грн

Довжина проводу:
0,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP68; IP69K
Недоступний
Резистор: thick film; 2,74МОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,74МОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; HF161F; THT; 1,4Вт
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; HF161F; THT; 1,4Вт

117,84 грн

Виводи:
до лютування
Електрична стійкість:
30000 цикли
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Макс. напруга котушки:
14,4В DC
Резистор: thick film; 3,9кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJ2RKF; 50В
Резистор: thick film; 3,9кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJ2RKF; 50В

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,8/7,4нКл
Корпус:
TO252-4
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6

5,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,1нКл
Корпус:
UF6