1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 60/-60В; 4,5/-3,5А; Idm: 20÷-20А

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 60/-60В; 4,5/-3,5А; Idm: 20÷-20А
Немає в наявності
Код товару: DI4A5C06SQ
38,65 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DI4A5C06SQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 12,5нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60/-60В
Опір в стані провідності: 55/75мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,6Вт
Струм стока: 4,5/-3,5А
Струм стоку в імпульсі: 20...-20А
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5нФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5нФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Конденсатор: керамічний; 1нФ; 200В; C0G (NP0); ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; 1нФ; 200В; C0G (NP0); ±10%; SMD; 1206

11,15 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±10%
Ємність:
1нФ
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; AS; 200В
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; AS; 200В

2,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 27пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 27пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402

0,27 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 11пФ; 50В; CHA; ±2%; SMD; 0402; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 11пФ; 50В; CHA; ±2%; SMD; 0402; 180мм

0,54 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
CHA
Допуск:
±2%
Недоступний
Резистор: thick film; 680Ом; SMD; 0508; 1Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 680Ом; SMD; 0508; 1Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C

0,26 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 127кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 127кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET x2; 100мА; 150мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; 100мА; 150мВт

5,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,15Вт
Струм стока:
0,1А
Транзистор: N/P-MOSFET; 80В; 2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 80В; 2Вт; SOP8

48,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,5/6,7нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD